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MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的基本知識(shí)


          1.G柵極 D漏極 S源極 這圖里面的MOS管是N溝道的,工作原理:只要G上的電壓比S上的電壓大5-6V,MOS管就開始導(dǎo)通,就有電流從S流向D.2.G接高低電平(確切說(shuō)是驅(qū)動(dòng)電壓),D接電源(高電位),S接下面的負(fù)載或低電位。3.可以控制的開關(guān)電路*大電壓是多少取決于MOSFET的*高耐壓值,耐壓值有多大,就能控制多大電壓的電路。
          2.功率MOSFET的工作原理截止:漏源極間加正電源,柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏,漏源極之間無(wú)電流流過(guò)。導(dǎo)電:在柵源極間加正電壓UGS,柵極是絕緣的,所以不會(huì)有柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開,而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面 當(dāng)UGS大于UT(開啟電壓或閾值電壓)時(shí),柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度,使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層,該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失,漏極和源極導(dǎo)電。
 
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